化合物半導(dǎo)體市場SiC功率模塊封裝技術(shù)的新挑戰(zhàn) New challenge 01 引線鍵合和復(fù)雜的內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)帶來的問題 引線鍵合和復(fù)雜的內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)帶來較大的寄生電容和寄生電感。SiC 功率芯片的開關(guān)速度可以更快,因而電壓和電流隨時(shí)間的變化率(dv/dt 和di/dt)就更大,這會(huì)對驅(qū)動(dòng)電壓的波形帶來過沖和震蕩,會(huì)引起開關(guān)損耗的增加,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)鸸β势骷恼`開關(guān),因此 SiC …
查看詳情第一代半導(dǎo)體以硅 (Si)、鍺 (Ge) 材料為代表,主要應(yīng)用在數(shù)據(jù)運(yùn)算領(lǐng)域,奠定了微電子產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 為代表,主要應(yīng)用于通信領(lǐng)域,用于制作高性能微波、毫米波及發(fā)光器件,奠定了信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。隨著技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用需要的不斷延伸,二者的局限性逐漸體現(xiàn)出來,難以滿足高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化等使用需求。 以碳化硅 …
查看詳情工研院業(yè)科技國際策略發(fā)展所于4日指出,中國臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)2021年產(chǎn)值將首度突破4兆元,達(dá)新臺(tái)幣4.1兆元,較2020全年成長25.9%,大幅高于全球市場平均。同時(shí),IC設(shè)計(jì)業(yè)2021年產(chǎn)值將首度突破兆元,達(dá)1.20兆元,成長40.7% 工研院表示,2020年全球受到新冠肺炎疫情影響,全球經(jīng)濟(jì)從實(shí)體經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)換為在線經(jīng)濟(jì)與零接觸活動(dòng),無論是在線購物、在線咨詢、在線會(huì)議、在線課程等,延續(xù)到202…
查看詳情Underfill(底部填充膠)的功能與應(yīng)用 1:為什么要用底填膠? 解決PCBA上的一個(gè)關(guān)鍵問題,CSP/BGA存在的隱患-應(yīng)力集中; 1) 熱應(yīng)力 因?yàn)樾酒突牡木€性膨脹系數(shù)(CTE)不一樣,在冷熱循環(huán)測試時(shí),高CTE和低CTE的材料之膨脹系數(shù)之差會(huì)導(dǎo)至焊球受到相互的約束,使其不能完全自由脹縮,而發(fā)生形變,終導(dǎo)致焊點(diǎn)斷裂; 2)機(jī)械應(yīng)力 結(jié)合應(yīng)用端的使用情況,一些如PCB板材…
查看詳情1、IGBT模塊結(jié)構(gòu) IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,最后用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示?! 纳现滤来斡尚酒?,DBC(Directed Bonding Copper)以及金屬散熱板(通常選用銅)三部分組成。DBC由三層材料構(gòu)成,上下兩…
查看詳情芯片底部填充膠主要用于CSP/BGA 等倒裝芯片的補(bǔ)強(qiáng),提高電子產(chǎn)品的機(jī)械性能和可靠性。根據(jù)芯片組裝的要求,討論了底部填充膠在使用中的工藝要求以及缺陷分析方法?! 〉寡b焊連接技術(shù)是目前半導(dǎo)體封裝的主流技術(shù)。倒裝芯片連接引線短,焊點(diǎn)直接與印刷線路板或其它基板焊接,引線電感小,信號(hào)間竄擾小,信號(hào)傳輸延時(shí)短,電性能好,是互連中延時(shí)*短、寄生效應(yīng)*小的一種互連方法。這些優(yōu)點(diǎn)使得倒裝芯片在便攜式設(shè)備…
查看詳情第三代半導(dǎo)體也稱為寬禁帶半導(dǎo)體,不同于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體主要賴硅晶圓,它在材料層面上實(shí)現(xiàn)了更新。而與第一代、第二代半導(dǎo)體并非替代關(guān)系,而是形成互補(bǔ),三者特性各異、用途不同?! 【唧w來看,第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為主,是CPU處理器等集成電路主要運(yùn)用的材料;第二代半導(dǎo)體包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等,目前手機(jī)所使用的關(guān)鍵通信芯片都采用這類材料制作。 第三代半導(dǎo)體材料主要是…
查看詳情封裝的工序比較復(fù)雜,大概有十幾道工序,有磨片、劃片......磨片就是讓圓片背面減薄,適應(yīng)封裝需要;劃片就是通過金屬刀片,讓晶圓能夠一粒一粒地分割出來;裝片就是通過導(dǎo)電膠,讓芯片跟引線框固定起來;鍵合就是通過芯片的pad與框架之間實(shí)現(xiàn)電路導(dǎo)通;塑封就是把產(chǎn)品包裝起來。希望您在閱讀本文后有所收獲,歡迎在評論區(qū)發(fā)表見解和想法。ELT封裝除泡機(jī) IC Package (IC的封裝形式)Packag…
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